اس اس دی هایک سمی Hiksemi Wave (P) ظرفیت 512 گیگابایت
نوع رابط : PCIe Gen 3.0 ظرفیت : 512 گیگابایت - 512GB فرم فاکتور: M.2 2280 پشتیبانی از NVMe نوع فلش3D NAND سرعت نوشتن تصادفی IOPS225K دمای عملکرد0 الی 70 درجه سانتی گرا دسرعت خواندن اطلاعات2500 مگابایت بر ثانیه سرعت نوشتن اطلاعات1025MB/s حجم قابل نوشتن (TBW)120TB میانگین زمان بین خطاها (MTBF)1,500,000 ساعت دمای ذخیره سازی40- الی 85 درجه سانتی گراد سرعت خواندن تصادفی55K